Materialkontrastabbildung im low-Voltage
Unbedampfte Proben können im Rasterelektronenmikroskop hochaufgelöst mikroskopiert werden.
Hier ist die lückenhafte Beschichtung mit MgO sowie die Bismuth-Dotierung deutlich in der Materialkontrastabbildung des Rasterelektronenmikroskops zu erkennen.
(Proben: Prof. Jüstel / Harvard University)