Elektronenmikroskopie
(SEM = Scanning Electron Microscopy dt.: REM = Raster-Elektronen-Mikroskopie)
Weit verbreitetes Verfahren zur Abbildung der Topographie von Festkörpern mit sehr hoher Schärfentiefe und Ortsauflösung. Routinemäßig eingesetzt zur Inspektion nahezu beliebiger Produktoberflächen und Mikrostrukturen im Rahmen von Produktentwicklungen, Fehleranalysen und Qualitätssicherung.
Weitere Anwendungsgebiete sind z.B. Bruchuntersuchungen von metallischen Werkstoffen, Schichtdickenmessungen in der Dünnschichttechnologie, Strukturcharakterisierung in der Mikroelektronik- und Mikrosystemtechnik u.v.a.m.
Mit Rasterelektronenmikroskopen lassen sich maximale Vergrößerungen von ca. 500.000 : 1 erzielen; das Auflösungsvermögen beträgt ca 1 bis 5 nm. (1 nm = 1/1.000.000.000 m !).
Mikrobereichsanalyse (EDX)
EDX= Energy Dispersive X-Ray Analysis)
Verfahren zur Bestimmung der Elementzusammensetzung von Proben in Kombination mit einem Rasterelektronenmikroskop; beruht auf der Auswertung der durch den Elektronenstrahl in der Probe hervorgerufenen Röntgenstrahlung, die je nach Element charakteristische Röntgenlinien enthält.
Durch die Kombination mit einem REM lassen sich mikroskopisch kleine Probenbereiche (bis ca. 1 Mikrometer) gezielt untersuchen. Außerdem ist eine Quantifizierung, d.h. eine Berechnung der Elementkonzentrationen und eine flächige Darstellung von Elementverteilungen an einer Probenoberfläche möglich.
Kathodolumineszenz-Spektroskopie
Lichtemission durch Elektronenanregung. Spektralanalyse des sichtbaren Lichtes. Lokalisierung von Leuchtzentren. Anwendung z.B. in
- Opto-Elektronik
- Nanotechnologie
- Fluoreszenzmaterialien
- Nano-Dots