Aktuell im Wintersemester 2017/18
| Datum | 22.11.2017 |
| Uhrzeit | 14.15 (2 Doppelstunden) |
| Ort | Raum D 221 |
| Inhalt | - Einführung |
| - MOS-Prozesse und CMOS-Prozesse | |
| - Reinigungsverfahren / Reinraumbedingungen | |
| - Vereinzeln/Packaging | |
| - Bonden | |
| - Widerstände, Dioden, EEPROM | |
| - Bipolar- und BiCMOS Prozesse | |
| - Probleme bei der Herstellung von Sub-100 nm MOS-Transistoren | |
| - Isolationstechniken | |
| - Nanostrukturierungstechniken |
- 0 Übersicht (pdf, 361.05 KB)
- 1 Reinraum und Reinigungsverfahren (pdf, 4.18 MB)
- 2 CMOS-Integration (pdf, 1.41 MB)
- 3 Isolations- und Planisierungstechniken (pdf, 7.16 MB)
- 4 Widerstände, Kondensatoren, Dioden, ... (pdf, 2.8 MB)
- 5 Flash-Speicher (pdf, 4.13 MB)
- 6 Bonden und Packaging (pdf, 4.97 MB)
- 7 Multi-Gate-Transistoren (pdf, 3.14 MB)
- 8 Wiederholung Grundlagen (pdf, 1.35 MB)
- digitale-revolution-mit-der-energiewende-zum-erfolg (zip, 92.73 MB)
- Übung 01 (pdf, 25.4 KB)
- Übung 01 - Lösungsansätze (pdf, 60.37 KB)
- Übung 02 (pdf, 302.8 KB)
- Übung 02 - Lösungsansätze (pdf, 596.71 KB)
- Übung 03 (pdf, 24.5 KB)
- Übung 03 - Lösungsansätze (pdf, 272.21 KB)
- Übung 04 (pdf, 113.38 KB)
- Übung 04 - Lösungsansätze (pdf, 460.02 KB)
- Übung 05 (pdf, 66.4 KB)
- Übung 05 - Lösungsansätze (pdf, 124.33 KB)
- Übung 06 (pdf, 444.5 KB)
- Übung 06 - Lösungsansätze (pdf, 552.64 KB)
- Übung 07 (pdf, 24.88 KB)
- Übung 07 - Lösungssätze (pdf, 62.54 KB)
- Prüfungsanmeldungen (pdf, 150.11 KB)