Nach Einführung des pn-Übergangs wird das elektrische Verhalten von Halbleiterbauelementen wie Dioden, Bipolar- und MOS-Transistoren, Tunnelbauelementen und Operationsverstärkern qualitativ und quantitativ untersucht.
Folgende Themen werden behandelt:
I. Einführung
- Motivation
II. Halbleiterdioden
- pn-Diode, Z-Diode, Schottky-Diode, LED, Fotodiode
III. Bipolartransistor
- Eigenschaften, Anwendungen
IV. Feldeffekttransistor
- Eigenschaften, Anwendungen
V. Tunnelbauelemente
- Eigenschaften, Anwendungen
VI. Operationsverstärker
- Eigenschaften, Anwendungen
Die Vorlesung wird gemeinsam mit Prof. Dr.-Ing. Konrad Mertens angeboten.