Kapitel I: Grundlagen der Halbleiterphysik
Kapitel II: Elektrisches Verhalten von Halbleitern
- Bändermodell: vom Atom zum Kristall
- Bändermodell des undotierten Halbleiters
- Prinzip der Löcherleitung
- Driftgeschwindigkeit und Beweglichkeit
- Beweglichkeit von Elektronen am Beispiel eines Metallkristalls
- Diffusion von Ladungsträgern
- Ladungsträgerdichte und Ferminiveau
- Bändermodell des n-dotierten Halbleiters
- Bändermodell des p-dotierten Halbleiters
- Darstellung von Diffusion und Drift von Elektronen im elektrischen Feld; ausgelöst durch Laserstrahlung
Kapitel III: Der pn-Übergang
Kapitel IV. Technische Dioden
Kapitel V. Herstellungstechnologie
Kapitel VI. Bipolar-Transistor
- Prinzip des Bipolar-Transistors
- Ladungsträgerverteilung im Bipolar-Transistor
- Kennlinienfeld des Bipolar-Transistors
- Banddiagramm des Bipolar-Transistors
- Verstärkung eines Bipolar-Transistors
- Transistorparameter als Funktion der Basisweite und Dotierung
- Ströme im Transistor bei verschiedenen Kollektorspannungen
- Schaltverhalten beim Transistor
- Wechselspannungsverstärkung einer Emitterschaltung
- Auswirkung des konkreten Arbeitspunktes beim Wechselspannungsverstärker
Kapitel VII. Feldeffekttransistoren
- Verhalten einer MOS-Struktur
- Bänderdiagramm einer MOS-Struktur
- Bänderdiagramm eines MOS-Fets in 3D-Ansicht
- Bänderdiagramm eines MOS-Fets in 2D-Ansicht
- Kennlinien und Kanalausdehnung eines MOS-FETs
- Kennlinien und Kanalausdehnung eines MOS-FETs
- Kennlinien und Kanalausdehnung eines J-FETs
- Auswirkung des Base-Source-Spannung (Body-Effekt)
- Auswirkung des Base-Source-Spannung (Body-Effekt)
- Herstellung eines MOS-Fets
- Herstellung eines MOS-Fets
- Herstellung eines MOS-Fets